ITKOM      (044) 238-25-48    Заказать обратный звонок оплата и доставка   ·   поиск   ·   новинки   ·   новости и обзоры   ·   барахолка   ·   написать   ·   корзина   

SanDisk и Toshiba анонсировали новую архитектуру NAND памяти, гарантирующую значительное увеличение емкости Flash-памяти

Компании SanDisk Corporation и Toshiba Corporation анонсировали развитие структуры ячеек NAND flash-памяти высокой плотности, которая позволяет производить модули NAND flash емкостью 4-Гбит (Gb) по 90-нанометровой технологии. Эти новые ячейки памяти имеют физическую площадь всего лишь 0,041 кв. микрона, и поддерживают масштабирование для создания в будущем еще более миниатюрных микросхем.

SanDisk и Toshiba протестировали новую структуру ячеек и продемонстрировали ее производительность и надежность. Обе компании планируют применять новую технологию ячеек NAND в первой половине 2004 года, начиная с 2-Гигабитных и 4-Гигабитных чипов NAND flash-памяти, которые будут производиться на их совместном предприятии FlashVision, расположенном на предприятии Yokkaichi Operations компании Toshiba в Японии. Подробности высокоплотной структуры NAND flash-памяти будут представлены на симпозиуме VLSI в Киото, Япония, 11 июня.

Toshiba и SanDisk являются признанными лидерами в усовершенствовании технологии и продвижении на рынке NAND flash-памяти - высоко универсальной и долговечной памяти, предназначенной для использования в широком диапазоне различной продукции, включая цифровые фотоаппараты, видеокамеры, мобильные телефоны, а также карманные ПК.

В новой сотовой структуре NAND памяти, плавающий затвор полностью самовыравнивающийся с активной площадью. Эта особенность дизайна поддерживает масштабирование структуры для производства чипов ниже 90- нанометрового процесса и, как ожидается, обеспечит особое преимущество в сравнении с текущей структурой NAND-памяти, в которой дальнейшее снижение технологического процесса ниже 110 нанометров становится затруднительным.

Новая сотовая структура разработана для поддержки как 2-Гигабитовой одноуровневой ячейки (SLC) с поверхностью бита от 0,041 кв. микрон, так и 4-Гигабитовой мультиуровневой ячейки (MLC) с поверхностью бита около 0,0205 кв. микрон. Мультиуровневая структура MLC позволяет каждой ячейке памяти сберегать 2 бита информации вместо 1 бита, и минимизировать интерференцию. Более высокая емкость и низкая стоимость одного бита памяти MLC позволит Toshiba и SanDisk укрепить их лидерство на рынке и, продолжая сотрудничество в создании новых технологий, двигаться вперед, удовлетворяя при этом растущим запросам на рынке flash-памяти.

[SanDisk]

 

.
.


оплата и доставка | поиск | новинки | гарантия | барахолка | написать | корзина

Перепечатка материалов возможна только со ссылкой на сайт www.itkom.com.ua


 
4Baby.ua. Автокресла, коляски, стульчики для кормления, игрушки, кроватки, мебель, одежда.