SanDisk и Toshiba намереваются расширить производство памяти NAND Flash

Компании SanDisk Corporation и Toshiba Corporation анонсировали о своем намерении скооперироваться для производства новых 300-миллиметровых пластин на оборудовании в Toshiba Yokkaichi для того, чтобы удовлетворить растущие требования в NAND flash-памяти. Ожидается, что этот шаг позволит наладить массовое производство на новом оборудовании уже во втором полугодии 2005 финансового года компании Toshiba, а не в первоначально запланированном 2006 ф. г., о чем Toshiba объявила в прошлом декабре. В настоящий момент Toshiba планирует начать постройку здания в первой половине 2004 финансового года.

Энергонезависимая NAND flash-память является средством хранения информации в различных мобильных телефонах, включая цифровые фотоаппараты и мобильные телефоны с функциями мультимедиа. Toshiba изобрела NAND flash-память и остается технологичным и рыночным лидером, причем ее позиция усилилась благодаря стратегическому партнерству с SanDisk в США, лидирующим производителем карт памяти с опытом высокоплотных карт flash-памяти, а также MLC (многоуровневые ячейки) NAND.

Общая сумма инвестиций в оборудование на фабрике (Fab 3) Toshiba в Yokkaichi оценивается приблизительно в 200 миллиардов иен (что составляет около $1,9 млрд. при текущем курсе) в период до конца 2005 финансового года. Toshiba профинансирует постройку здания, в то время как Toshiba и SanDisk предоставят средства для установки производственного оборудования. После установки и наладки оборудование будет работать под управлением FlashVision, совместного предприятия Toshiba и SanDisk, ориентированного на производство памяти NAND flash. Участники скоро будут вести переговоры о сроках соглашения по поводу функционирования Toshiba Fab 3 в Yokkaichi.

Как ожидается, после запуска новое оборудование будет вначале производить до 10000 пластин в месяц во второй половине 2005-го финансового года, используя 70-нанометровую технологию, которую Toshiba и SanDisk сейчас совместно разрабатывают. Планируется, что объемы производства будут расти на 10000 пластин ежемесячно благодаря большому выходу готовой продукции и постепенному переходу на 55-нанометровый процесс в последующие годы.

Комментируя новое оборудование, мистер Shigeo Koguchi, президент компании Semiconductor Company в Toshiba Corporation, заметил: “Потребность в NAND flash-памяти растет очень быстро, ввиду значительных потребностей в цифровых потребительских устройствах, таких как цифровые фотоаппараты и мобильные телефоны с фотоаппаратами. Мы ожидаем, что этот рынок удвоится в период с 2003 по 2006 год. Мы полагаем, что движение в направлении конструирования новых чистых помещений будет гарантировать быстрый рост объемов продукции и полное удовлетворение спроса на быстрорастущем рынке".

Dr. Eli Harari, президент и главный исполнительный директор компании SanDisk Corporation, заявил: “Fab 3 в Yokkaichi представляет новую фазу сотрудничества с нашим великолепным партнером Toshiba. Мы ожидаем, что Fab 3 будет уникальной фабрикой, поставляющей нам чрезвычайно высококачественные пластины NAND flash-памяти в больших объемах во второй половине этой декады. Рынки flash-memory NAND уже сейчас довольно емкие, но продолжают расти быстрыми темпами и, очевидно, превысят наши сегодняшние источники поставки. Наши flash-карты используются повсеместно в многочисленных товарах потребительской электроники и мобильных мультимедиа-телефонах. Будущий выпуск продукции на Fab 3 по всей видимости, станет важнейшим элементом нашей стратегии в поставке прогнозируемых запросов от наших OEM-заказчиков и рядовых потребителей".

[SanDisk]