Toshiba и SanDisk построили фабрику по производству кремниевых пластин

Toshiba Corporation и SanDisk Corporation отметили завершения строительства продвинутой фабрики по производству кремниевых пластин на Toshiba Yokkaichi Operations с традиционной церемонией и приемом. Новая фабрика будет запущена в действие во второй половине 2005 года, что ранее запланированного срока и будет производить flash-память NAND из кремниевых пластин 300 мм.

В соответствии с растущим спросом на память NAND, многофункциональную энергонезависимую память, используемую в широком диапазоне электронных устройств, Toshiba и SanDisk, стратегические партнеры по разработке и производстве flash-памяти NAND, начали строительство фабрики в апреле 2004 года. Общая сумма инвестиций в новую фабрику, называемой Fab 3, составит около 270-миллиардов иен (приблизительно $2,6 млрд) до конца марта 2007 года. Flash Partners, Ltd., совместное предприятие Toshiba-SanDisk, основанное в сентябре 2004 года, которое на 50,1% принадлежит Toshiba и на 49,9% — компании SanDisk, будет финансировать установку продвинутого производственного оборудования на фабрике Fab 3.

Комментируя новое производство, Масаши Муромачи (Masashi Muromachi), корпоративный вице-президент Toshiba Corporation и президент и генеральный директор Toshiba Semiconductor Company, заявил: “Мы очень рады завершить постройку суперсовременной фабрики по производству NAND flash в кооперации с SanDisk. Мы полагаем, что рынок NAND будет свидетелем ежегодного роста свыше 30% с 2004 до 2008 года, с 700 миллиардов иен до 2100-миллиардов иен, и мы ожидаем увидеть ежегодный рост приблизительно 200% в байтовом измерении. Мы ожидаем, что новая фабрика подтвердит нашу оперативность на быстрорастущие требования на высокоплотную flash-память NAND на растущем рынке.”

Как ожидается, фабрика по производству кремниевых пластин диаметром 300 мм начнет работать во второй половине 2005 года и способна производить до 10 000 пластин в месяц до конца 2005 года. Capacity будет расширена, как диктуют требования рынка, до 40 тысяч пластин в месяц до конца первого полугодия 2007 года. Выход полезной продукции в течении каждой фазы расширения будет поровну разделен между Toshiba и SanDisk. Фабрика все еще имеет возможности для расширения, и дальнейшие инвестиции могут обеспечить выход полезной продукции до 62 500 пластин в месяц.

Во время запуска производства новое оборудование будет использовать 90-нанометровый технологический процесс, совместно выполненный Toshiba и SanDisk. Выпуск кремниевых пластин диаметром 300 мм будет переведен на 70-нанометровый процесс в первой половине 2006 года, что ранее запланированного срока. Это последует за первой массовой продукции NAND flash-памяти по 70-нанометровому технологическому процессу на существующей фабрике по выпуску 200-мм пластин в 2005 году. Фабрика по выпуску пластин диаметром 300 мм также перейдет на массовое производство flash-памяти NAND по 55-нанометровому процессу в конце 2006 года.

Экологически чистая конструкция будет уменьшать выброс диохсида углерода и перфторуглерода из новой чистой комнаты (в электронной промышленности - производственные помещения с высочайшей степенью защиты от пыли и других загрязнений), в то время как потребление энергии снизится на 30% в сравнении с текущими чистыми комнатами Toshiba по выпуску пластин диаметром 200mm.

Прим.: 1 нанометр = одна миллиардная доля метра

Новое оборудование по выпуску пластин 300 мм на Yokkaichi Operations

Здание фабрики: пять этажей

Площадь фабрики: 24300 кв. м.

Площадь всех помещений фабрики: 113 000 кв. м.

Площадь чистой комнаты: 34,500m2

Запуск производства: вторая половина 2005 года (по плану)

Структура Yokkaichi Operations

Расположение: 800 Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi-shi, Mie Prefecture, Япония

Дата основания: 1992

Генеральный менеджер: Джиро Ошима

Служащие: приблизительно 1950