Самый миниатюрный чип флеш-памяти в мире от SanDisk

SanDisk Corporation и Toshiba Corporation сегодня сообщили о совместной разработке многоуровневой ячейки (MLC) NAND флеш-памяти с использованием 32-нанометровой (nm) операционной технологии с целью создания 32-гигабитной микросхемы памяти 3-бита-в-ячейке (3-bits-per-cell) (X3). Данный прорыв, как ожидается, ускорит продвижение на рынок усовершенствованных технологий, которые позволят выпускать продукцию более высокой емкости и сократят затраты на производство различных продуктов: от карт памяти до полупроводниковых приводов (SSD).

«Разработка нашей технологии 3-bits-per-cell третьего поколения, основанной на 32-нанометровом процессе всего через полтора года после представления 56-нанометровых кристаллов первого поколения 3-bits-per-cell указывает на необходимость невероятно быстрых шагов с целью стать производителем мирового класса в современной индустрии, — заявил Санджей Меротра (Sanjay Mehrotra), соучредитель и президент компании SanDisk. — Это позволяет нам предложить более высокие емкости в непревзойденном форм-факторе, в то же время уменьшая затраты на производство и таким образом расширяя наши различные линейки продуктов. Эта новая разработка подчеркивает глубокий уровень профессиональных технических знаний компании SanDisk и ее инноваций, которые, в конечном итоге, приносят пользу потребителям».

32-нанометровая технология Х3 идеальна для приложений microSD

32-нанометровая технология Х3 32 Гбит является самым миниатюрным кристаллом NAND флеш-памяти, представленным на сегодняшний день, и способным поместиться в формат карты памяти microSD™ размером с ноготок, который получил широкое распространение в мобильных телефонах и других потребительских электронных устройствах. Данная технология 32 нм 32 Гбит X3 является кристаллом памяти microSD с самой высокой плотностью в мире, обеспечивая двойную емкость чипа microSD на 43 нм и сохраняя такую же площадь кристалла. Достижения в 32-нанометровых технологиях и проектированиях схем в большой степени содействовали созданию кристалла размером 113 мм2. В то же время запатентованная компанией SanDisk архитектура All-Bit-Line (ABL) стала ключевым фактором, помогающим поддерживать конкурентоспособное быстродействие записи Х3.

«Небольшая площадь 32-нанометрового кристалла Х3 и огромная плотность позволит производить более высокие емкости карт microSD, чем это было до использования данной технологии, — отметил Йорам Сидэ (Yoram Cedar), исполнительный вице-президент подразделения OEM-поставок и корпоративного проектирования в компанииSanDisk. — Популярность форм-фактора microSD все более увеличивается благодаря растущим требованиям к высокой емкости хранилищ в мобильных телефонах, и Х3 даст нам возможность представить на этом рынке новые великолепные продукты».

Платформа — ключевые технологии SanDisk

32 нм – это наиболее продвинутый технологический узел флеш-памяти на сегодняшний день, требующий передовых решений для управления масштабированием функционального размера. 32-нанометровая технология сочетает несколько инновационных технологий с целью уменьшить площадь кристалла более быстро, чем это должно было быть в соответствии с законом Мура.

«32-нанометровая технология строится на базе успешного использования компанией SanDisk иммерсионной литографии в 43 нм с целью реализовать раздельный процесс, без необходимости дополнительных крупных инвестиций в литографическое оборудование, — отметил Клаус Шуграф, вице-президент по технологиям памяти в компании SanDisk. — SanDisk приносит свою лидирующую в отрасли 64-битовую NAND длину строки в 32-нанометровую технологию, уравновешивая bit-to-bit эффекты интерференции благодаря новаторским программным алгоритмам и системному проектированию».

Компании SanDisk и Toshiba сегодня представили совместную документацию по производству 32-нанометровой 32 Гбит Х3 NAND флеш-памяти на Международной конференции по интегральным схемам 2009 (ISSCC), выдвигая на первый план технические продвижения, которые сделали возможной эту технологию. Изготовление продуктов на базе данной технологии планируется во второй половине 2009 года.

Комментарии:

Комментариев - нет

Имя:

Ваш комментарий:

		Проверочный код:

		Обновить картинку		[ Ctrl + Enter ]